大功率滤波器的研究与推广策略
汪洋
摘要(Abstract)：
<正>半导体领域向SiC、GaN为代表的第三代半导体材料方向发展,以期开发出更能适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的功率半导体器件,要求滤波器向高频、高压、节能、小型化方向发展。上述背景下,传统滤波器显然已经无法满足当前社会科技发展趋势,能否满足智能化、小型化的发展趋势就成为滤波器未来研发的重要内容。鉴于此,本研究主要分析了我司设计大功率滤波器,针对大功率
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作者(Author): 汪洋
DOI: 10.19353/j.cnki.dzsj.2020.02.086