未来的微电子器件
筱叶
摘要(Abstract)：
<正> 一、传统的微电子器件 70年代以来,集成电路的集成度每三年约翻两番,线宽则缩小到0.7倍。这样的发展速度在现代科学技术史上是罕见的。 目前,16Mb DRAM芯片已大量使用;64Mb DRAM技术已经成熟,具备了大批量生产的能力;256Mb DRAM已在实验室开发成功,至少有IBM公司与东芝公司结盟,西门子公司、NEC公司与三星公司结盟,正在大力开发这一产品,并计划在1998年左右使这种芯片上市。下一个目标就是制成1Gb DRAM,它需要使用0.2μm以下的光刻技术,许多半导体公司认为,在2000年左右制成这种芯片是
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作者(Author): 筱叶