电子世界

2021, No.612(06) 73-74

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高效率N型离子注入太阳电池技术的研究

刘莹;张伟;吴萌萌;李英叶;陈志军;

摘要(Abstract):

<正>离子注入技术已经成功的从IC(集成电路)制造中延伸到了太阳能池的制造过程中,并且成为N型单晶太阳能池的研究热点。我们在电阻率为1-3Ω.cm的N型硅片基底上,采用离子注入技术工业化生产的太阳能电池的最高效率达到12.2%,平均转化效率为20.9%。我们还进行了离子注入掺杂技术对方块电阻的掺杂曲线、均匀性、及电池参数的影响研究。

关键词(KeyWords):

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 刘莹;张伟;吴萌萌;李英叶;陈志军;

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DOI: 10.19353/j.cnki.dzsj.2021.06.035

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